;    磁控溅射镀膜与其他镀膜技术相比，其显著特征为：工作参数有大的动态调节范围镀膜沉积速度和厚度(镀膜区域的状态) 容易控制，对磁控靶的几何形状没有设计上的限制，以保证镀膜的均匀性；膜层没有液滴颗粒问题：几乎所有金属、合金和陶瓷材料都可以制成靶材料；通过直流或射频磁控溅射，可以生成纯金属或配比精确恒定的合金镀膜以及气体参与的金属反应膜，满足薄膜多样和高精度的要求。磁控溅射镀膜的典型工艺参数为：工作压强为01Pa；靶电压300~700V，靶功率密度1~36W/cm2。磁控溅射的具体特点有:

    (1) 沉积速率高。由于采用磁控电极，可以获得非常大的靶轰击离子电流，因此，靶表面的溅射刻蚀速率和基片面上的膜沉积速率都很高。

    (2) 功率效率高。低能电子与气体原子的碰撞概率高，因此气体离化率大大增加。相应地，放电气体(或等离子体)的阻抗大幅度降低。因此，直流磁控溅射与直流二极溅射相比，即使工作压力由1~10Pa降低到 10-2~10-1Pa溅射电压也同时由几千伏降低到几百伏，溅射效率和沉积速率反而成数量级增加。

    (3) 低能溅射。由于靶上施加的阴极电压低，等离子体被磁场束缚在阴极附近的空间中，从而抑制了高能带电粒子向基片一侧入射。因此，由带电粒子轰击引起的，对半导体器件等基体造成的损伤程度比其他溅射方式低。

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