直接引出式离子束沉积是离子束辅助沉积方式的一种。直接引出式离子束沉积属于非质量分离式离子束沉积。该技术于 1971 年首先被用于制取类金刚石碳膜，其原理是:离子源阴极和阳极的主要部分的材料都是由碳构成。将显气引人到放电室中，加上外部磁场，在低气压条件下使其发生等离子放电，依靠离子对电极的溅射作用产生碳离子。碳离子和等离子体中的氲离子被同时引人沉积室中，由于基材上有负偏压，它们被加速人射到基材上。试验结果表明，室温下用能量为 50~100eV 的碳离子，在 Si、NaCI、KCI、Ni 等基片上制取了透明的类金刚石碳膜，电阻率高达 10Q·cm,折射率约为 2，不溶于无机酸和有机酸，有很高的硬度。

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