反应磁控溅射即在溅射过程中供入反应气体与溅射粒子进行反应，生成化合物薄膜它可以在溅射化合物靶的同时供应反应气体与之反应，也可以在溅射金属或合金靶的同时供应反应气体与之反应来制备既定化学配比的化合物薄膜。反应磁控溅射制备化合物薄膜的特点是:

(1) 反应磁控溅射所用的靶材料 (单元素靶或多元素靶) 和反应气体等很容易获得高的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。

(2) 在反应磁控溅射中，通过调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。

(3) 在反应磁控溅射沉积过程中，基片的温度一般不太高，而且成膜过程通常也并不要求对基片进行很高温度的加热，因此对基片材料的限制较少。

(4) 反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产量百万平方米镀膜的工业化生产。在很多情况下，只要简单地改变溅射时反应气体与惰性气体的比例，就可改变薄膜的性质。例如，可使薄膜由金属改变为半导体或非金属。