①铬靶 铬作为溅射膜材不但易与基材结合有很高的附着力，而且铬与氧化物生成CrO3。膜时，其机械性能、耐酸性能、热稳定性能都较好。此外，铬在不完全氧化状态下还可生成弱吸收膜。将纯度98%以上的铬制成矩形靶材或圆筒形铬靶材已有报道。此外，采用烧结法制成铬矩形靶的技术也已成熟。

② ITO靶 制备 ITO膜所用的靶材，过去通常采用 In-Sn 合金材料来制靶，然后在镀膜过程中通氧，而后生成ITO膜。这种方法由于反应气体控制较难，制重复性较差。因而，近几年已经被ITO烧结靶所取代。ITO靶材典型的工艺过程是按质量配比，通过球磨法将其充分混合后，再加入专用有机粉合剂将其混合成所要求的形状，并通过加压压实后，再将板块在空气中以 100℃/h的升温速度升温到1600℃后保温1h，再以冷却速度为100℃/h降到常温而制成。制靶时靶平面要求磨光，以免在溅射过程中出现热点。

③金及金合金靶 金，光泽迷人，具有良好的耐蚀性，是理想的装饰品表面涂覆材料。过去采用的湿镀法膜附着力小、强度低、耐磨性差，还有废液污染问题，因此，必然被干式镀所取代。其靶型有平面靶、局部复合靶、管状靶、局部复合管状靶等。其制备方法主要是通过配料后的真空熔炼、酸洗、冷轧、退火、精轧、剪切、表面清洗、冷轧复合式包合等一系列工艺过程而制取的。这种技术在国内已通过鉴定，使用效果良好。

④ 磁性材靶 磁性材料靶主要是用于镀制薄膜磁头、薄膜磁盘等磁性薄膜器件上。由于采用直流磁控溅射法对磁性材料进行磁控溅射较为困难。因此，这种靶在制备上采取了所谓具有“间隙靶型”的CT靶。其原理是在靶材表面上切出许多间隙使磁系统可在磁材料靶表面上产生漏泄磁场，从而，使靶材表面上能够形成正交磁场而达到磁控溅射成膜的目的.据称这种靶材的厚度可达到20mm。

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