离子束辅助沉积技术是把离子束注入与气相沉积镀膜技术相结合的离子表面复合处理技术。在离子注人材料表面改性过程中，无论是半导体材料还是工程材料，往往都希望改性层的厚度远超离子注入的厚度，但又希望保留离子注入工艺的优点，譬如改性层与基体间无尖锐界面，可在室温下处理工件等。因此，将离子注入与镀膜技术结合在一起，在镀膜的同时，将具有一定能量的离子不断地入射到膜与基材的界面，借助于级联碰撞使得界面原子混合，在初始界面附近形成原子混合过渡区，以提高膜与基材之间的结合力。然后，在原子混合区上，再在离子束参与下，继续生长出要求厚度和特性的薄膜。

    这就是离子束辅助沉积 (IBED)，既保留了离子注入工艺的特点，又可实现在基体上覆以与基材完全不同的薄膜材料。

    离子束辅助沉积技术具有下列优点:

    (1)由于离子束辅助沉积无需进行气体放电就可产生等离子体，因此可以在<10-2Pa的压力下进行镀膜，减少气体污染。

  &nbsp; (2) 基本工艺参数(离子能量、离子密度) 为电参数。一般不需控制气体流量等一些非电参数，即可方便地控制膜层的生长、调整膜的组成和结构，易于保证工艺的重复性。

    (3)可在低温条件下 (<200℃) 给工件表面镀覆上与基体完全不同且厚度不受轰击离子能量限制的薄膜。比较适用于掺杂功能膜、冷加工精密模具以及低温回火结构钢的表面处理。

  &nbsp; (4) 是一种在室温下控制的非平衡过程。可在室温条件下得到高温相、亚稳相、非晶态合金等新型功能薄膜。

    离子束辅助沉积的缺点为:

    (1) 因离子束具有直射特性，难以处理表面形状复杂的工件

    (2) 因离子束流尺寸限制，难以处理大型的、大面积的工件。

    (3)离子束辅助沉积速率通常在 1nm/s 左右，较宜制备薄的膜层，不宜进行大批量产品的镀制。

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