1.离子束能量范围分类

离子束的能量是在高压电场加速下获得的。其能量 (E)范围如下:

    1)高能离子束能量，E=20~100keV，用于离子束注人和离子束混合。

    2)中能离子束能量，E=500~1000eV，用于离子束射镀膜、离子束刻蚀镀膜前预轰击清洗。

    3)低能离子束能量，E≤500eV，镀膜时进行辅助沉积。

    2.离子束对材料表面的作用

不同能量的离子束对材料表面产生的作用不同。

    (1)离子束注入 直接用高能的离子束注人材料表面，可以获得用一般冶金方法很难获得的平衡及非平衡合金、过饱和固溶体、亚稳态合金及化合物、非晶态表面等不同组织结构的新材料;还可以进行离子束反冲注入和离子束混合。

    (2)离子束溅射 用高能离子束溅射靶材，获得高纯度的膜层。

    (3)离子束刻蚀 用高能离子把基上多余的材料射下来，从而获所需材料组成的图形，这是半导体行业、光电子行业刻蚀电路板的关键技术。

    (4)离子增强辅助沉积 在镀膜的过中，同时用高能离子轰击工件，即一边镀膜，一边轰击。离子束向沉积粒子提供能量，进行离子束辅助增强沉构可以获得符合化学计量比的化合物涂层，并改善膜层组织。

在离子束和材料表面相互作用过程中，这几种现象都会存在，只是在不同的能量范围内其中某一种现象会占主导地位。

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