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CVD 技术中的各类成膜方法及特点

文章作者:广东918博天堂科技
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发布时间:2024-06-04
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依据在CVD工艺过程中参与反应气体压力的大小,反应程度的高低以及采用的化学手段的不同,可将所运用各种不同类型的CVD成膜方法分成不同类别,见表

CVD方法分类沉积速率/(μm/min)温度范围/℃例实

常压高温 CVD法(NPCVD法)

500~1500

600~1200

SiCl4/H2

常压低温 CVD法

约100

200~500

SiCl4/O2

低压高温CVD法(LPCVD法)

约10

SiH4(26.6Pa)

低压低温CVD法(LPCVD法)

600~700

450以下

等离子体增强CVD法(PEVCD法)

8~150

约 500

TiCl4/H2·N2

金属有机化合物VCD法(MOCVD法)

20~60

500~600

(CH3)Ga/(C2H5)Sb

光辅助CVD法(PhotoniCVD法)约120WF4/H2

CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基体,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;⑤涂层致密性好,由于成膜过程温度较高,膜基界面上的附着力很强,故膜层十分牢固;⑥承受放射线辐射后的损伤较低,能与MOS集成电路工艺相融合。CVD技术的不足,一是沉积温度高,可达800~1100℃。在这样高的温度下工件易于变形,特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件,其用途会受到一定的限制;二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性,因此必须采取一定的防护措施。

 

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——本文由真空镀膜设备厂家广东918博天堂发布

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