广义地来讲,CVD大致可分为两类:一类是在单品衬底上气相沉积单晶外延层,这是狭义上的 CVD;另一类是在衬底上沉积薄膜,包括多品和非晶薄膜。根据所用源气体的种类不同,CVD可分为卤素输运法和金属有机物化学气相沉积(MOCVD),前者以卤化物为气源,后者以金属有机化合物为气源。按照反应室内的压力,可分为常压 CVD(APCVD)、低压 CVD(LPCVD)和超高真空 CVD(UHV/CVD)三种主要类型。CVD 还可以采用能量增强辅助方法,现在常见的包括等离子增强 CVD(PECVD)和光增强 CVD(PCVD)等。

    CVD实质上是一种气相物质在高温下通过化学反应而生成固态物质并沉积在衬底上的成膜方法。具体地说,挥发性的金属卤化物或金属有机化合物等与H、Ar或N等载气混合后,均匀地输运到反应室内的高温衬底上,通过化学反应在衬底上形成薄膜。无论是哪种类型的 CVD,沉积得以顺利进行必须满足下列基本条件:其一,在沉积温度下,反应物必须具有足够高的蒸气压;其二,反应生成物,除了所需的沉积物为固态外,其余都必须是气态;其三,沉积物本身的蒸气压应足够低,以保证在整个沉积反应过程中能使其保持在加热的衬底上;其四,衬底材料本身的蒸气压在沉积温度下也应足够低。

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