a.溅射速率高。如溅射SiO2时，沉积速率可达200nm/min。通常也可达10~100nm/min。

而且成膜的速率与高频功率成正比关系。

    b.膜与基体间的附着力大于真空蒸镀的膜层。这是由于向基体内入射的原子平均动能大约为 10eV，而且处于等离子体中的基体会受到严格的溅射清洗致使膜层针孔少、纯度高、膜层致密。

    c.膜材适应性广泛，既可是金属也可以是非金属或化合物，几乎所有材料可制备成圆形板状，可长期使用。

    d.对基体形状要求不苛刻。基体表面不平或存在宽度在 1mm 以下的小狭缝也可溅射成膜。

射频溅射镀膜的应用  基于上述特点，目前射频溅射沉积的涂层应用比较广泛，特别是在集成电路及介质功能薄膜的制备上应用尤为广泛。例如，用射频溅射沉积的非导体和半导体材料，包括元素:半导体 Si和 Ge，化合物材料 GsAs、GaSb、GaN、InSb、InN、AIN、CaSe、Cds、PbTe，高温半导体 SiC，铁电化合物 B14T3O12，气化物体材料 In2Os、SiO2、Al203、Y203、TiO2、ZiO2、SnO2、PtO、HfO2、Bi2O2、ZnO2、CdO、玻璃、塑料等。

    如果在镀膜室中放置几个靶，还可以在同一室内，不破坏真空一次性完成多层薄膜的制备。专用电极射频装置对轴承内、外环进行二硫化涂层的制备就是一例，该设备所采用的射频源频率为 11.36MHz，靶电压为 2~3kV，总功率为 12kW,工作范围的磁感应强度为 0.008T，真空室的极限真空度为6.5X10-4Pa。射频溅射镀膜的不足处是设备复杂、运行费用高、沉积速率偏低。而且，其射频溅射功率利用效率低，大量功率转成热量，从靶的冷却水中流失。

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