真空蒸镀工艺一般包括基片表面清洁、镀膜前的准备、蒸镀、取件、镀后处理、检测、成品等步骤。

    (1)基片表面清洁。真空室内壁、基片架等表面的油污、锈迹、残余镀料等在真空中易蒸发,直接影响膜层的纯度和结合力,镀前必须清洁干净。

    (2)镀前准备。镀膜空抽真空到合适的真空度,对基片和镀膜材料进行预处理。加热基片,其目的是去除水分和增强膜基结合力。在高真空下加热基片,能够使基片的表面吸附的气体脱附,然后经真空泵抽气排出真空室,有利于提高镀膜室真空度、膜层纯度和膜基结合力。达到一定真空度后,先对蒸发源通以较低功率的电,进行膜料的预热或者预熔。为防止蒸发到基板上,用挡板遮盖住蒸发源及源物质,然后输入较大功率的电,将镀膜材料迅速加热到蒸发温度,蒸镀时再移开挡板。

    ;(3)蒸镀。在蒸镀阶段除要选择合适的基片温度、镀料蒸发温度外沉积气压也是一个很重要的参数。沉积气压即镀膜室的真空度高低,决定了蒸镀空间气体分子运动的平均自由程和一定蒸发距离下的蒸气与残余气体原子及蒸气原子之间的碰撞次数。

    (4)取件。膜层厚度达到要求以后,用挡板盖住蒸发源并停止加热,但不要马上导人空气,需要在真空条件下继续冷却一段时间,进行降温,防止镀层、剩余镀料及电阻、蒸发源等被氧化,然后停止抽气,再充气,打开真空室取出基片。

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